N e w s !
主要 Research Highlights
Hidden Antipolar Order Parameter and Entangled Néel-Type Charged Domain Walls in Hybrid Improper Ferroelectrics.
M. H. Lee, C.-P. Chang, F.-T. Huang, G. Y. Guo, B. Gao, C. H. Chen, S.-W. Cheong, and M.-W. Chu
Hidden lattice instabilities as origin of the conductive interface between insulating LaAlO3 and SrTiO3.
P. W. Lee, V. N. Singh, G. Y. Guo, H.-J. Liu, Y.-H. Chu, C. H. Chen, and M.-W. Chu
π-plasmon dispersion in free-standing graphene by momentum-resolved electron energy-loss spectroscopy.
S. C. Liou, C.-S. Shie, C. H. Chen, R. Breitwieser, W. W. Pai, G. Y. Guo, and M.-W. Chu
Condensation of two-dimensional oxide-interfacial charges into one-dimensional electron chains by the misfit-dislocation strain field.
C.-P. Chang, M.-W. Chu*, H. T. Jeng, S.-L. Cheng, J. G. Lin, J.-R. Yang, and C. H. Chen
Emergent chemical mapping at atomic-column resolution by energy-dispersive X-Ray spectroscopy in an aberration-corrected electron microscope.
M.-W. Chu, S. C. Liou, C.-P. Chang, F.-S. Chao, and C. H. Chen
合作研究成果 Highlights
Observation of Half-Quantum Flux in Unconventional Superconductor β-Bi2Pd
Yufan Li, Xiaoying Xu, M.-H. Lee, M.-W. Chu, C. L. Chien
Tailoring excitonic states of van der Waals bilayers through stacking configuration, band alignment, and valley spin
Wei-Ting Hsu, Bo-Han Lin, Li-Syuan Lu, Ming-Hao Lee, Ming-Wen Chu, Lain-Jong Li, Wang Yao, Wen-Hao Chang, and Chih-Kang Shih
Negative circular polarization emissions from WSe2/MoSe2 commensurate heterobilayers
Wei-Ting Hsu, Li-Syuan Lu, Po-Hsun Wu, Ming-Hao Lee, Peng-Jen Chen, Pei-Ying Wu, Yi-Chia Chou, Horng-Tay Jeng, Lain-Jong Li, Ming-Wen Chu2 & Wen-Hao Chang
Duality of topological defects in hexagonal manganites.
F.-T. Huang, X. Wang, S. M. Griffin, Y. Kumagai, O. Gindele, M.-W. Chu, Y. Horibe, N. A. Spaldin, and S.-W. Cheong
Observation of room-temperature ballistic thermal conduction persisting over 8.3 µm in SiGe nanowires.
T.-K. Hsiao, H.-K. Chang, S.-C. Liou, M.-W. Chu, S.-C. Lee, and C.-W. Chang
Scanning transmission electron microscopy using selective high-order Laue zones: three-dimensional atomic ordering in sodium cobaltate.
F.-T. Huang, A. Gloter, M.-W. Chu, F. C. Chou, G. J. Shu, L. K. Liu, C. H. Chen, and C. Colliex
JEOL-2100F+Cs
FEI-TECNAI
JEOL-2000FX, TECNAI(LaB6)
申請書送出且經運作小組審議通過後，提出該申請案之PI需繳交 5萬元新台幣(50點)會員費。同一申請書可有一名以上之使用者，惟需於該案提出申請時即具體載明，申請書審核通過後不再提供追加人數。
不開放自行操作，由實驗室代為操作，每次10點。
通過訓練後可自行操作，每次6點。
通過訓練後可自行操作，每次2點。*上述收費標準適用於學術界，工業界收費以兩倍計價。
設備訓練課程為期五天，收費點數10點，五天課程內容包含授課、訓練和測驗。設備訓練課程分為B級以及C級，兩者收費相同。通過訓練結訓測驗後即可自行操作B級與C級設備。
首次諮詢免費，內容包含提供是否需要使用TEM之必要性，以及預期可達到之成果判斷。此後每次諮詢需點數1點。 諮詢時請先備妥power point...等,能幫助暸解服務內容的文件。
會員點數不足十點時，平台會提前告知，請貴會員考慮是否需要繼續使用，若需繼續使用，則需提出新申請書，載明上一申請書之相關代表性結果，並敘明本新申請書之延續必要，運作小組審議通過後即刻生效。如有計劃繼續使用之會員請盡快辦理續約，避免點數用盡無法使用。如需增加使用者之人數，請在此時提出申請。
收費點數6點，三天課程包含Plan-view TEM樣品製備以及Cross-section TEM樣品製備。需自備耗材8吋3M鑽石拋光膜(無背膠) : 30µm、6µm、3µm、1µm、0.5µm ； 8吋拋光布。離子打薄PIPS請至材料系登記預約。
樣品機械研磨自備耗材可優惠收費點數2點：
平台會不定期提供訓練課程 請密切注意 也歡迎來信詢問
服務項目
規劃中